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锰掺杂对PZNT相结构和机电性能的影响
引用本文:刘彭义,陈亚君,祝兰,武春红.锰掺杂对PZNT相结构和机电性能的影响[J].压电与声光,2009,31(3).
作者姓名:刘彭义  陈亚君  祝兰  武春红
作者单位:暨南大学,物理系,广东,广州,510632
摘    要:采用二步合成法制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3+xMnO2压电陶瓷,探讨了不同剂量锰掺杂对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响.结果表明,在1 200℃下烧结2 h,可得到处在准同型相界附近纯钙钛矿结构的压电陶瓷;随着MnO2掺杂量的增加,试样的压电常数d33和机电耦合系数kp先增大后减小,当掺杂w(MnO2)=0.2%时,d33和kp均达到最大值,分别为250 pC/N和0.52;而介电损耗tan δ持续下降,机械品质因数Qm则持续上升.当掺杂w(MnO2)=0.5%时,tan δ达到最小值,Qm达到最大值,其值分别为0.004 6和1434.

关 键 词:准同型相界  相结构  机电性能

Properties of Pb (Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3 Ceramics Modified by MnO2
LIU Peng-yi,CHEN Ya-jun,ZHU Lan,WU Chun-hong.Properties of Pb (Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3 Ceramics Modified by MnO2[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2009,31(3).
Authors:LIU Peng-yi  CHEN Ya-jun  ZHU Lan  WU Chun-hong
Abstract:
Keywords:
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