四针状氧化锌晶须的氧化硅包覆改性(英文) |
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摘 要: | 通过并流中和法对T-Zn Ow进行氧化硅包覆改性,改善了与有机高分子材料的相容性。利用红外光谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、激光粒度分析等手段对包覆后的T-Zn Ow进行了表征,探讨了p H值、陈化时间、温度以及SiO_2包覆量对包覆效果的影响。结果表明:晶须表面成功包覆了非晶态硅氧化合物;包膜后的T-Zn Ow粒径减小,分散性能大幅度提高;实现均匀完整包覆的最佳工艺条件为:包膜p H=9~10,陈化时间5 h,反应温度90℃,SiO_2包覆量10%(质量分数)。
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