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| 高纯ZnWO_4晶体的生长 | |
| 引用本文： | K.Takagi,T.Oiand,T.Fukazawa,宋桂莲.高纯ZnWO_4晶体的生长[J].压电与声光,1982(3). |
| 作者姓名： | K.Takagi T.Oiand T.Fukazawa 宋桂莲 |
| 作者单位： | 日本日立中央研究所，日本日立中央研究所，日本日立中央研究所 |
| 摘 要： | 用提拉法生长了ZnWO_4单晶,研究了晶体生长条件对晶体中杂质浓度的影响。晶体颜色对杂质很敏感,尤其对铁杂质特别敏感。生长过程中,通过界面加一电场可以改变铁的有效分凝系数。用籽晶作阳极可以减小分凝系数,从而可以得到高纯度的几乎无色的ZnWO_4单晶。 |
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