| 硅衬底Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的慢正电子束研究 |
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| 引用本文： | 王耘波,高俊雄,郭冬云,于军,魏龙.硅衬底Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的慢正电子束研究[J].功能材料,2010,41(11). |
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| 作者姓名： | 王耘波 高俊雄 郭冬云 于军 魏龙 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散。
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| 关 键 词： | 慢正电子束 多普勒展宽谱 Bi4Ti3O12铁电薄膜 缺陷 |
Study of Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 ferroelectric films with Si substrate by variable-energy positron beam |
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| WANG Yun-bo,GAO Jun-xiong,GUO Dong-yun,YU Jun,WEI Long.Study of Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 ferroelectric films with Si substrate by variable-energy positron beam[J].Journal of Functional Materials,2010,41(11). |
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| Authors: | WANG Yun-bo GAO Jun-xiong GUO Dong-yun YU Jun WEI Long |
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