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MBE生长的InSb和InASxSb1—x的载流子浓度剖面分布
引用本文:罗江财 谢国柱. MBE生长的InSb和InASxSb1—x的载流子浓度剖面分布[J]. 半导体光电, 1992, 13(1): 78-82
作者姓名:罗江财 谢国柱
作者单位:重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所 重庆永川 632163,重庆永川 632163
摘    要:在(111)InSb 和(100)GaAs 衬底上,用分子束外延技术生长了 InSb 和 InAs_xSb_(1-x)外延层。用自动电化学 C—V 法测量了外延层的载流子浓度剖面分布。结果表明:(1)外延层呈 P 型;(2)InSb/GaAs 异质外延层的载流子浓度为(1~2)×10~(16)cm~(-3),比相应的同质外延层 InSb/InSb 的(1~2)×10~(17)cm~(-3)小一个数量级;(3)生长层的载流子浓度剖面分布和质量取决于衬底表面的制备。讨论了有关问题。

关 键 词:分子束 外延 载流子浓度 InSb

Carrier Concentration Profiles of InSb and InAs_xSb_(1-x)Grown by MBE
Luo Jiancai Xie Guozhu Chongqing Optoelectronics Research Institute Yongchuan,Chongqing. Carrier Concentration Profiles of InSb and InAs_xSb_(1-x)Grown by MBE[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1992, 13(1): 78-82
Authors:Luo Jiancai Xie Guozhu Chongqing Optoelectronics Research Institute Yongchuan  Chongqing
Affiliation:Luo Jiancai Xie Guozhu Chongqing Optoelectronics Research Institute Yongchuan,Chongqing 632163
Abstract:
Keywords:Molecular Beam Epitaxy  Epilayer  Carrier Concentration Profile
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