| 铂—硅合金形成硅化铂的研究 |
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| 引用本文： | 熊平,廖世蓉.铂—硅合金形成硅化铂的研究[J].半导体光电,1992,13(4):359-362. |
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| 作者姓名： | 熊平 廖世蓉 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所，重庆光电技术研究所 永川 632163，永川 632163 |
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| 摘 要： | 本文对 PtSi 红外肖特基势垒探测器中硅化铂薄层(～20nm)进行了分析,比较了不同制作条件 PtSi 薄层的化学组成以及有关元素在薄层中的纵向分布等情况,提出了良好的硅化铂薄层的形成条件,并测出了以此条件制作的 PtSi 红外肖特基势垒探测器参数 D~*=2.8×10~(10)cm·H_z~(1/2)W~(-1),势垒高度φ_(ms)=0.21eV。
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| 关 键 词： | PtSi薄膜 半导体器件 硅化铂 |
Study on the Formation of PtSi with Pt-Si Alloy |
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| Xiong Ping Liao Shirong.Study on the Formation of PtSi with Pt-Si Alloy[J].Semiconductor Optoelectronics,1992,13(4):359-362. |
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| Authors: | Xiong Ping Liao Shirong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Schottky Barrier PtSi Films |
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