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| LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管 | |
| 引用本文： | 王国宏,马骁宇,曹青,张玉芳,王树堂,李玉璋,陈良惠.LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管[J].半导体学报,1998,19(9):712-714. |
| 作者姓名： | 王国宏 马骁宇 曹青 张玉芳 王树堂 李玉璋 陈良惠 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，光电子器件国家工程研究中心 |
| 摘 要： | 利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ． |
| 关 键 词： | LP－MOCVD 外延生长 橙黄色 发光二极管 |
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