| 几种新型非易失存储器的原理及发展趋势 |
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| 引用本文： | 蒋明曦,刘春岩. 几种新型非易失存储器的原理及发展趋势[J]. 微处理机, 2014, 0(2): 5-7,10 |
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| 作者姓名： | 蒋明曦 刘春岩 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032 |
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| 摘 要： | 介绍几种有发展潜力的新型非易失存储器的原理，如铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器等，并在性能方面作了对比，最后对存在的问题和发展趋势进行了分析。
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| 关 键 词： | 非易失存储器 铁电存储器 磁性随机存储器 相变存储器 阻变存储器 |
Principle and Development of Several Nonvolatile Memories |
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| Affiliation: | JIANG Ming - xi, LIU Chun - yan (The 47tb Research Institute of China Electroniics Technology Group Corporation,Shenyang 110032, Chiina) |
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| Abstract: | The article introduces the principle of such nonvolatile memorirs as FRAM （ Ferroeleetric Random Access Memory）, PRAM （Phase Change Random Access Memory）, MRAM （Magnetic Random Access Memory）, RRAM （Resistive Random Access Memory）, etc., and compares their tiertbrmance. Finally, it makes an analysis on them ibr the existing problems and the development trend. |
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| Keywords: | NVM FRAM PRAM MRAM RRAM |
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