| LEC-InP晶体中孪晶现象的研究 |
| |
| 引用本文： | 李玉茹,李晓岚,孙同年,孙聂枫.LEC-InP晶体中孪晶现象的研究[J].半导体技术,2015,40(4):289-293. |
| |
| 作者姓名： | 李玉茹 李晓岚 孙同年 孙聂枫 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;专用集成电路重点实验室,石家庄,050051 |
| |
| 摘 要： | 在LEC-InP晶体生长过程中,孪晶的产生是一个影响InP单晶率的突出问题.生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶一直是InP单晶生长技术的研究重点.国内外学者研究了影响孪晶产生的相关因素,但具体产生机制仍未确定.大量的实验研究表明InP晶体中的孪晶通常出现在三相界面处的边缘小平面上,且不论内砍还是外切孪晶均产生在{111}面上.晶体生长转肩过程中改变提拉速度会导致边缘过冷度增加,很容易产生孪晶.研究表明可以调整降温速率来实现对晶体直径的控制,减少拉速改变的频率避免造成边缘处过冷度增大,使得晶体生长实现平滑转肩,减小转肩时孪晶的产生概率.
|
| 关 键 词： | LEC-InP 孪晶 过冷度 降温速率 平滑转肩 |
Study of the Twin Crystallite Phenomenon in LEC-InP Crystal |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LEC-InP twin crystallite supercooling cooling rate smoothly shouldering |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
