| 国外军用大功率半导体激光器的发展现状 |
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| 引用本文： | 李明月,何君.国外军用大功率半导体激光器的发展现状[J].半导体技术,2015,40(5):321-327. |
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| 作者姓名： | 李明月 何君 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 由于半导体激光器具有体积小、结构简单、质量轻、转换效率高、可靠性好、寿命长、易于调制及与其他半导体器件易于集成等特点,可应用于军事、工业、医疗、通信等领域,尤其是在激光制导跟踪、激光雷达、激光引信、激光测距、激光通信、激光模拟武器、激光瞄准告警和光纤陀螺等军事领域得到广泛应用.概述了近年来美国和欧洲等国家在半导体激光器方面的主要研制计划及其所取得的成果,重点介绍了GaAs基和InP基近红外大功率半导体激光器、中远红外及太赫兹量子级联半导体激光器等的发展现状和最新研制成果.随着新型半导体材料、激光器结构和热管理等技术的发展,展望了未来半导体激光器技术的发展趋势.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 大功率 量子级联激光器(QCL) 太赫兹 |
Development Situations of High Power Semiconductor Laser for Military Applications in Advanced Countries |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor laser vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) high power quantum cascade laser (QCL) terahertz |
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