| 背接触太阳电池发射区设计及可靠性研究 |
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| 引用本文： | 周涛,陆晓东,吴元庆,夏婷婷. 背接触太阳电池发射区设计及可靠性研究[J]. 半导体技术, 2015, 40(10): 775-782. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.10.010 |
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| 作者姓名： | 周涛 陆晓东 吴元庆 夏婷婷 |
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| 作者单位： | 渤海大学新能源学院,辽宁锦州,121000;渤海大学新能源学院,辽宁锦州,121000;渤海大学新能源学院,辽宁锦州,121000;渤海大学新能源学院,辽宁锦州,121000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对n型插指背接触(IBC)太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响.借鉴双极半导体器件抗二次击穿技术,详细分析了不同发射区结深、发射区边缘刻蚀技术和发射区边缘选择性掺杂技术对IBC电池热击穿特性的影响.结果表明:发射区表面浓度越大、结深越深,IBC电池效率越高.当发射区表面浓度为5× 1020 cm-3、结深为1 μm时,转换效率高达23.35％.同时,深结发射区也有助于改善IBC电池的热击穿特性.发射区边缘刻蚀结构不具有改善IBC电池热击穿特性的作用,而发射区边缘选择性掺杂结构可有效改善IBC电池的热击穿特性,从而提高IBC太阳电池组件的可靠性.
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| 关 键 词： | 背接触 太阳电池 发射区 表面浓度 结深 转换效率 热击穿 |
Emitter Design and Reliability Study of Back Contact Solar Cells |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | back contact solar cell emitter surface concentration junction depth conversion efficiency thermal breakdown |
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