| n型纳米非对称DG-TFET阈值电压特性研究 |
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| 引用本文： | 李妤晨,沈路,张鹤鸣,刘树林. n型纳米非对称DG-TFET阈值电压特性研究[J]. 半导体技术, 2015, 0(8): 585-591. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.08.006 |
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| 作者姓名： | 李妤晨 沈路 张鹤鸣 刘树林 |
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| 作者单位： | 1. 西安科技大学 电气与控制工程学院,西安,710054;2. 中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;3. 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61474085)，西安科技大学博士启动金资助项目(2014QDJ035) |
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| 摘 要： | ![]()
n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同.在深入研究n型纳米非对称DG-TFET的阈值特性基础上,通过求解器件不同区域电场、电势的方法,建立了n型纳米非对称DG-TFET器件阈值电压数值模型,探讨了器件材料物理参数以及漏源电压对阈值电压的影响,通过与Silvaco Atlas的仿真结果比较,验证了模型的正确性.研究表明,n型纳米非对称DG-TFET的阈值电压分别随着栅介质层介电常数的增加、硅层厚度的减薄以及源漏电压的减小而减小,而栅长对其阈值电压的影响有限.该研究对纳米非对称DG-TFET的设计、仿真及制造有一定的参考价值.
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| 关 键 词： | 双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET) 带带隧穿 亚阈值摆幅 阈值电压 纳米非对称结构 |
Study on Threshold Voltage Characteristics of the n-Type Nanoscale Asymmetric DG-TFET |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | double-gate tunneling field effect transistor (DG-TFET) band-to-band tunneling subthreshold swing threshold voltage nanoscale asymmetric structure |
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