| 带有非吸收窗口的大功率915 nm半导体激光器 |
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| 引用本文： | 姚南,赵懿昊,刘素平,马骁宇. 带有非吸收窗口的大功率915 nm半导体激光器[J]. 半导体技术, 2015, 40(8): 596-600. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.08.008 |
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| 作者姓名： | 姚南 赵懿昊 刘素平 马骁宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院 半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083;中国科学院 半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083;中国科学院 半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083;中国科学院 半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院支撑项目(61501060206) |
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| 摘 要： | 为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管.通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si02和SiaN4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s.最终制备出的带有非吸收窗口的激光器,与普通激光器的阈值电流和斜率效率几乎一样.但普通激光器在电流为10 A时发生灾变性光学损伤(COD)并失效,而带有非吸收窗口的激光器在电流达到13A时仍然可以正常工作,相比普通激光器其最大输出功率增加了15％.每种器件各20个在20℃,电流为9A时进行直流老化试验,普通激光器在老化时间达到100 h时全部失效,而带非吸收窗口器件在老化200 h时仅有两个失效,这表明非吸收窗口结构显著提高了器件的抗COD能力.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD) 非吸收窗口 高温退火 灾变性光学损伤(COD) |
High Power 915 nm Semiconductor Lasers with Non-absorbing Windows |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor laser impurity-free vacancy disordering (IFVD) non-absorbing window rapid thermal annealing catastrophic optical damage (COD) |
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