| 集成电路封装级失效及其定位 |
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| 引用本文： | 张蓬鹤,陈选龙,刘丽媛,林道谭,何胜宗. 集成电路封装级失效及其定位[J]. 半导体技术, 2015, 40(6). DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.010 |
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| 作者姓名： | 张蓬鹤 陈选龙 刘丽媛 林道谭 何胜宗 |
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| 作者单位： | 中国电力科学研究院,北京,100192;工业和信息化部电子第五研究所,广州,510610 |
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| 摘 要： | 失效分析中有许多类型的封装级失效.由于封装材料限制或者无损检测要求,无法从外观直接观察到失效点,需要借助于设备进行失效定位才能快速、准确地进行分析.总结了集成电路封装级失效的几种常见失效机理和失效原因,提出三种有效的分析手段和分析方法进行失效定位:X射线检测、超声扫描声学显微镜以及热激光激发光致电阻变化(OBIRCH)技术,分别用于元器件结构观察、不同材料界面特性分析和键合损伤位置定位.从倒装芯片封装、陶瓷封装、塑料封装和金铝键合短路四个失效分析的实际案例出发,阐明三种封装级失效定位手段应用的领域、特点和局限性.结果表明在封装级失效中,通孔断裂开路、焊料桥连短路、键合损伤和界面分层等缺陷能够准确地被定位进而分析.
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| 关 键 词： | 集成电路 封装级失效 光致电阻变化(OBIRCH) 失效分析 失效定位 扫描声学显微镜(SAM) |
Package Level Failure and Failure Localization of the Integrated Circuit |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | integrated circuit package level failure optical beam induced resistance change (OBIRCH) failure analysis failure localization scanning acoustic microscopy (SAM) |
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