|
|||||
|
|
| 东芝公司的TMM41256C/P | |
| 作者姓名： | 齐藤昇三 小川嘉重 王秀春 |
| 摘 要： | MOS动态RAM于1970年1k位实用化以来,以3年4倍的比率继续向大容量化发展,现在64k位正在大批量生产。从16k位向64k位发展,作为前进中的技术问题,除所谓4倍集成度以外,工作电压从3电源方式(+12v、+5v、-5v)变成单电源(-5v)方式。而更进一步向256k位开发前进将带来如下问题。即, |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |