| 碳纳米管阵列栅极冷阴极场发射增强因子的计算 |
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| 引用本文： | 戴剑锋,乔宪武,张嵩波,王青,李维学. 碳纳米管阵列栅极冷阴极场发射增强因子的计算[J]. 功能材料, 2008, 39(11) |
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| 作者姓名： | 戴剑锋 乔宪武 张嵩波 王青 李维学 |
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| 作者单位： | 兰州理工大学,理学院,甘肃,兰州,730050;兰州理工大学,甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室,甘肃,兰州,730050;兰州理工大学,理学院,甘肃,兰州,730050 |
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| 摘 要： | ![]()
垂直于栅极冷阴极六角排列的碳纳米管(CNTs)阵列是最具有应用前景的CNTs场发射平面显示器结构.计算了该结构尖端及侧壁的电势和电场分布以及场增强因子.计算结果表明:CNTs尖端处电场强度很大,随着半径Υ的增加,电场强度急剧减小;CNTs长径比L/Υ越大,尖端电场越强;栅孔半径R越大,CNTs顶端电场强度越小.
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| 关 键 词： | 碳纳米管阵列 六角排列 场发射 栅极冷阴极 |
Calculation of field enhancement facter of the carbon nanotube array with normal-gated of cold cathode |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | |
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