| 快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果 |
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| 引用本文： | 郭春林,汪雷,戴准,房剑锋,郑佳毅,杨德仁.快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果[J].材料科学与工程学报,2015,33(1):17-21. |
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| 作者姓名： | 郭春林 汪雷 戴准 房剑锋 郑佳毅 杨德仁 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江杭州310027;2. 上海殷勇电子科技有限公司,上海230088;3. 杭州正泰太阳能科技有限公司,浙江杭州310053 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目，浙江省创新团队资助项目 |
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| 摘 要： | 二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段。本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用。在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值。采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围。通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果。单层SiNX薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs。
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| 关 键 词： | RTO SiO2薄膜 太阳电池 钝化 |
Passivation Property of Ultrathin SiO2 Films Grown by RTO Treatment of Crystalline Silicon Wafers |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RTO SiO2 films solar cells passivation |
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