硅(锂)X射线探测器 |
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引用本文: | 俞嗣皎
,张文成
,聶汉卿
,蒋瑞娟
,郭昭乔
,李月宣
,卢殿通.硅(锂)X射线探测器[J].原子能科学技术,1980(2). |
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作者姓名: | 俞嗣皎 张文成 聶汉卿 蒋瑞娟 郭昭乔 李月宣 卢殿通 |
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摘 要: | 本文扼要地叙述了近年来硅(锂)X射线荧光谱仪的进展,X射线荧光谱仪对半导体探测器的要求,和对探测器几何形状的选择。文章详细地介绍了硅(锂)X射线探测器的制备工艺,及用该工艺流程制备的灵敏面积为12毫米~2、厚度3.5毫米的探测器,在温度~77°k时给出电容<1微微法,而反向电流,一直到1000伏的反向偏压下仍~10~(-13)安。配上脉冲光反馈前置放大器后,电子学系统的噪声FWHM(简称半宽度)为249电子伏的情况下,对~(55)Fe的5.9千电子伏的谱线得到半宽度为291电子伏。最后对上述结果简单地给予讨论。
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