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CVD金刚石工具膜生长特征SEM观察
引用本文:高巧君,彭晓芙.CVD金刚石工具膜生长特征SEM观察[J].电子器件,1994,17(3):127-130.
作者姓名:高巧君  彭晓芙
作者单位:北京大学物理系,北京粉末冶金研究所
摘    要:本文用不热形变栅状直丝化学气相沉积(CVD)法生长金刚石膜,在Si及WC-Co硬质合金衬底上金刚石膜晶面显露规律随衬底温度和甲烷浓度而异,经适当表面处理及选择合适的工艺条件,当生长初期衬底上就呈现出良好晶形的沉积膜,衬底与膜之间的粘结力能得到提高。Raman谱分析表明此膜仅具有特征金刚石1332cm ̄(-1)峰,通过SEM观察揭示出盒刚石膜可在表面、侧面及棱上生长,并与衬底有良好的联结。

关 键 词:CVD金刚石  生长机制  半导体薄膜技术

A Observation of Growth Characterization of CVD Diamond Tool Films by SEM
Goo Qiao-Jun,Xu Yong-Yong,and Feng Hao.A Observation of Growth Characterization of CVD Diamond Tool Films by SEM[J].Journal of Electron Devices,1994,17(3):127-130.
Authors:Goo Qiao-Jun  Xu Yong-Yong  and Feng Hao
Abstract:
Keywords:Hot straight filament CVD Growth Mechanism and characterization  
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