| 射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 郑泽渔,张树人,杨成韬,钟朝位,董加和,孙明霞,刘敬松.射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜[J].压电与声光,2007,29(1):83-86. |
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| 作者姓名： | 郑泽渔 张树人 杨成韬 钟朝位 董加和 孙明霞 刘敬松 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054 |
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| 摘 要： | 研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 氧化锌薄膜 射频功率 氧氢比(V(O2)/V(Ar)) 衬底温度 声表面波器件 |
| 文章编号： | 1004-2474(2007)01-0083-03 |
| 修稿时间： | 2005-09-28 |
Effects of Sputtering Conditions on Properties of ZnO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering for SAW Applications |
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| ZHENG Ze-yu,ZHANG Shu-ren,YANG Cheng-tao,ZHONG Chao-wei,DONG Jia-he,SUN Ming-xia,LIU Jing-song.Effects of Sputtering Conditions on Properties of ZnO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering for SAW Applications[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2007,29(1):83-86. |
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| Authors: | ZHENG Ze-yu ZHANG Shu-ren YANG Cheng-tao ZHONG Chao-wei DONG Jia-he SUN Ming-xia LIU Jing-song |
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| Affiliation: | School of Microelectronic and Solid-State Electronic, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF magnetron sputtering ZnO films RF power V(O2)/V(Ar) ratio substrate temperature SAW device |
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