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基于混合宏模型的无电容型LDO设计
引用本文:邹志革,邹雪城,雷鳢铭,杨诗洋,陈晓飞.基于混合宏模型的无电容型LDO设计[J].微电子学,2009,39(1).
作者姓名:邹志革  邹雪城  雷鳢铭  杨诗洋  陈晓飞
作者单位:华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划) 
摘    要:模拟集成电路的"自顶向下"设计方法能大大提高电路设计效率.提出了一种"混合宏模型",能高效、简便地完成模拟集成电路的建模,进而指导器件级电路设计.基于"混合宏模型"的设计方法,完成了一款基于HHNEC 0.25 μm标准CMOS工艺的无电容型LDO设计.

关 键 词:混合宏模型  模拟集成电路  设计流程  无电容型LDO

Design of Capacitor-less LDO Based on Mix-Macro-Model
ZOU Zhige,ZOU Xueeheng,LEI Jianming,YANG Shiyang,CHEN Xiaofei.Design of Capacitor-less LDO Based on Mix-Macro-Model[J].Microelectronics,2009,39(1).
Authors:ZOU Zhige  ZOU Xueeheng  LEI Jianming  YANG Shiyang  CHEN Xiaofei
Affiliation:Dept.of Electronic Science and Technology;Huazhong University of Science and Technology;Wuhan 430074;P.R.China
Abstract:
Keywords:Mix-macro-model  Analog IC  Design flow  Capacitor-less LDO  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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