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| 磁控溅射制备大面积原子级平滑超低电阻率TiN薄膜电极 | |
| 作者姓名： | 田忠杰 史淑艳 陈琦磊 芮祥新 黄新宇 孙纳纳 周大雨 |
| 作者单位： | 大连理工大学 材料科学与工程学院,三束材料改性教育部重点实验室,辽宁 大连 116024;合肥安德科铭半导体科技有限公司,合肥 230088 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;合肥安德科铭半导体科技有限公司资助项目 |
| 摘 要： | 利用射频反应磁控溅射法制备了大面积原子级平滑的TiN薄膜电极,针对衬底偏压对TiN电极性能与结构的影响进行了系统探究.采用四探针方阻测试仪、XPS、GIXRD和AFM等测试手段对TiN薄膜电极的电阻率、化学成分、择优取向、表面形貌及薄膜均匀性进行表征分析.结果表明,施加-200 V衬底偏压可获得超低电阻率的TiN薄膜电... |
| 关 键 词： | 射频反应磁控溅射 TiN电极薄膜 表面粗糙度 电阻率 |
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