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| 采用光外延法和分子层外延法生长砷化镓晶体膜 | |
| 引用本文： | 西泽润一,张汉三.采用光外延法和分子层外延法生长砷化镓晶体膜[J].微纳电子技术,1985(5). |
| 作者姓名： | 西泽润一 张汉三 |
| 摘 要： | <正> 一、引言 GaAs作为超高速晶体管、超高速LSI和光电子学器件用的材料已崭露头角。静电感应晶体管(SIT)是一种能以最高速工作的晶体管,在其第一篇正式论文中,作者曾经指出,在流经晶体管的电流中,有受扩散速度限制的电流和热电子发射电流,如果采用将器件微细化的方法,将电子渡越的距离缩短到小于其平均自由程时,那末电子就会不受碰撞地到达漏极。这就是理想型SIT(ISIT)。据作者计算,砷化镓的f_(max)等于718GHz,后来美国 |
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