薄膜的截面TEM样品制备 |
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引用本文: | 林舒,孔明,戴嘉维,李戈扬.薄膜的截面TEM样品制备[J].电子显微学报,2006,25(B08):202-203. |
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作者姓名: | 林舒 孔明 戴嘉维 李戈扬 |
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作者单位: | 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海200030 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(No.50571062). |
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摘 要: | 薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄,对其微结构的研究十分困难,许多表征方法难以采用。透射电子显微分析(TEM)是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易,但由于薄膜依附于基材生长,且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征,因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究,可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂,难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法,对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。
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关 键 词: | 薄膜材料 样品制备 TEM 截面 透射电子显微分析 材料微结构 薄膜生长 制备方法 |
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