| P－型金刚石半导体制备及其性能研究 |
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| 引用本文： | 王和照,姜柳笛,张建军. P－型金刚石半导体制备及其性能研究[J]. 微细加工技术, 1995, 0(2) |
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| 作者姓名： | 王和照 姜柳笛 张建军 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学应用物理系，合肥工业大学机械工程系 |
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| 摘 要： | 利用热丝化学气相沉积法，以硼酸三甲酯为液态掺杂源，用Ｈ＿２携带，制备出高质量的ｐ型金刚石薄膜。经检测，其晶体结构常数与天然金刚石十分接近。对掺杂样品计算表明，硼掺杂浓度是６．５×１０￣（１９）ｃｍ￣（－３）室温下空穴载流子浓度是８×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３），电离率为１．２３／１０００。
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| 关 键 词： | p－型金刚石薄膜，硼掺杂，半导体制备 |
PREPAKATION OF P-TYPE SEMICONDUCTINGDTAMOND FILMS AND INVESTIGATON OF THEIR PROPERTIES |
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| Wang Hezhao,Jiang Liudi. PREPAKATION OF P-TYPE SEMICONDUCTINGDTAMOND FILMS AND INVESTIGATON OF THEIR PROPERTIES[J]. Microfabrication Technology, 1995, 0(2) |
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| Authors: | Wang Hezhao Jiang Liudi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-type diamond films boron doping semicoductor prepara-tion |
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