| 射频磁控溅射法制备Al2(WO4)3薄膜和负热膨胀性能研究 |
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| 引用本文： | 程晓农,刘红飞,张志萍,屈展.射频磁控溅射法制备Al2(WO4)3薄膜和负热膨胀性能研究[J].真空科学与技术学报,2008,28(3):252-255. |
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| 作者姓名： | 程晓农 刘红飞 张志萍 屈展 |
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| 作者单位： | 江苏大学,材料科学与工程学院,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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江苏省高校自然科学基金
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江苏大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用WO3和Al2O3陶瓷靶材，以双靶交替射频磁控溅射法，在石英基片上沉积制备了Al2（WO4）3薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM），研究了退火温度对Al2（WO4）3薄膜的相组成和表面形貌的影响，采用表面粗糙轮廓仪和划痕仪测量薄膜厚度，探索了薄膜的制备工艺以及薄膜与基片的结合力，采用高温X射线衍射和晶胞参数指标化软件，初步研究了薄膜热膨胀特性。实验结果表明：磁控溅射沉积制备的这种薄膜为非晶态，表面平滑、致密，随着热处理温度的升高，薄膜开始结晶且膜层颗粒增大，在950℃热处理10min后得到Al2（WO4）3薄膜，薄膜与基片的结合力为13．6N，薄膜物质热膨胀特性呈各向异性。
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| 关 键 词： | Al2(WO4)3 薄膜 磁控溅射 负热膨胀 射频磁控溅射 法制 薄膜厚度 热膨胀性能 研究 Magnetron Negative Thermal Expansion Growth 膜物质 热处理 颗粒 膜层 处理温度 表面平滑 非晶态 溅射沉积 结果 实验 热膨胀特性 软件 |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)03-252-04 |
| 修稿时间： | 2007年9月6日 |
Growth and Negative Thermal Expansion of Magnetron Sputtered Al2(WO4)3 Films |
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| Cheng Xiaonong,Liu Hongfei,Zhang Zhiping,Qu Zhan.Growth and Negative Thermal Expansion of Magnetron Sputtered Al2(WO4)3 Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2008,28(3):252-255. |
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| Authors: | Cheng Xiaonong Liu Hongfei Zhang Zhiping Qu Zhan |
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