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| 电流型半导体探测器收集特性的测定 | |
| 引用本文： | 郭箴第 ,孙传琛 ,陈文熊 ,郑修聪 ,庄国臣 ,黄元山 ,徐佩华.电流型半导体探测器收集特性的测定[J].核技术,1981(5). |
| 作者姓名： | 郭箴第 孙传琛 陈文熊 郑修聪 庄国臣 黄元山 徐佩华 |
| 作者单位： | 上海复旦大学，国防科委21所 |
| 摘 要： | 利用2.5MeV质子静电加速器调制成微秒宽度的单次脉冲束流,照射国产离子注入PIN及Au-Si面垒型探测器表面后,观察从示波器屏幕上同时拍摄的探测器输出波形和束流波形并加以比较,由此观察耗尽区内部电荷积累对平顶畸变、收集时间大小的影响及收集效率等参数。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |