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| 中子辐照硅的正电子湮没研究 | |
| 引用本文： | 李安利,岩田忠夫.中子辐照硅的正电子湮没研究[J].核技术,1993,16(10):588-590. |
| 作者姓名： | 李安利 岩田忠夫 |
| 作者单位： | 中国原子能科学研究院，日本原子能研究所，中国原子能科学研究院，中国原子能科学研究院，中国原子能科学研究院，中国原子能科学研究院 北京 102413，北京 102413，北京 102413，北京 102413，北京 102413 |
| 摘 要： | 采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子 |
| 关 键 词： | 正电子湮没 寿命 硅 辐射效应 |
A study of radiation damage in neutron irradiated silicon by positron annihilation |
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| Li Anli T.Iwata Li Donghong Zheng Shengnan Huang Hanchen Zhu Shengyun.A study of radiation damage in neutron irradiated silicon by positron annihilation[J].Nuclear Techniques,1993,16(10):588-590. | |
| Authors: | Li Anli TIwata Li Donghong Zheng Shengnan Huang Hanchen Zhu Shengyun |
| Abstract: | |
| Keywords: | Positron annihilation lifetime Oxygen- vacancy pair Di- and- quadrivacancies Neutron irradiated silicon |
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