| 垂直腔面发射激光器DBR的生长优化 |
| |
| 引用本文： | 许晓芳,邓军,李建军,张令宇,任凯兵,冯媛媛,贺鑫,宋钊,聂祥.垂直腔面发射激光器DBR的生长优化[J].半导体光电,2022,43(2):332-336. |
| |
| 作者姓名： | 许晓芳 邓军 李建军 张令宇 任凯兵 冯媛媛 贺鑫 宋钊 聂祥 |
| |
| 作者单位： | 北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124 |
| |
| 摘 要： | 基于能带理论和分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,分析了垂直腔面发射激光器(VCSEL)中DBR串联电阻较大的原因。采用组分渐变降低DBR结构中异质结界面处势垒,优化DBR的各层掺杂浓度,通过调控费米能级进一步降低DBR中的异质结势垒,从而有效降低DBR串联电阻。实验采用Al_(0.22)Ga_(0.78)As/Al_(0.9)Ga_(0.1)As作为生长DBR的两种材料,设计了DBR各层厚度,研究了AlGaAs材料的最佳生长温度,利用MOCVD外延技术完成了795nm VCSEL突变DBR与渐变DBR的生长。经过工艺制备,测得突变DBR和渐变DBR的电阻分别为6.6和5.3Ω,优化生长后的DBR电阻得到有效降低。
|
| 关 键 词： | 795 nm垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 串联电阻 渐变生长 MOCVD |
| 收稿时间： | 2021/12/29 0:00:00 |
Growth Optimization of Vertical Cavity Surface-Emitting Laser DBR |
| |
| XU Xiaofang,DENG Jun,LI Jianjun,ZHANG Lingyu,REN Kaibing,FENG Yuanyuan,HE Xin,SONG Zhao,NIE Xiang.Growth Optimization of Vertical Cavity Surface-Emitting Laser DBR[J].Semiconductor Optoelectronics,2022,43(2):332-336. |
| |
| Authors: | XU Xiaofang DENG Jun LI Jianjun ZHANG Lingyu REN Kaibing FENG Yuanyuan HE Xin SONG Zhao NIE Xiang |
| |
| Affiliation: | Key Lab. of Optoelectronics Technology of the Ministry of Education, Faculty of Information Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, CHN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | 795nm VCSEL DBR series resistance gradual growth MOCVD |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体光电》下载全文 |
|
