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硅基光开关及阵列研究进展
作者姓名:孙小强  刘崧岳  李鹏飞  尹悦鑫  张大明
作者单位:吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,长春130012
基金项目:国家重点研发计划项目(2019YFB2203001).通信作者:张大明E-mail:zhangdm@jlu.edu.cn
摘    要:随着网络传输数据的爆炸式增长,传统集成电路芯片面临着难以进一步提升交换速率及继续扩大容量等挑战。相较于传统电子芯片,硅基光子器件具有交换速度快、功耗低、带宽大和与CMOS工艺兼容性好等优点,可满足下一代全光交换网络、数据中心和高性能计算光互连的迫切需求,被视为在后摩尔时代突破芯片容量最具前途的解决方案,受到日益广泛关注。文章介绍了硅基光子芯片中光开关单元及阵列的技术原理和发展现状,重点论述了MZI型、MRR型开关单元,以及常见阵列拓扑结构,介绍了近年来大规模光开关阵列的国内外研究进展,讨论了未来硅基光开关及阵列研究中面临的主要问题和解决方法。

关 键 词:光互连  硅基光子  光开关  拓扑架构  光开关阵列  集成光子
收稿时间:2022-03-09
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