| 三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元 |
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| 作者姓名： | 刘文楷 林世鸣 安艳伟 张存善 |
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| 作者单位： | 北方工业大学信息工程学院 北京100041
(刘文楷,安艳伟),中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 北京100083
(林世鸣),河北工业大学电气信息学院 天津300130(张存善) |
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| 摘 要： | 半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦合后,三维半导体柱型微腔中具有相同角量子数和径向量子数的两个低阶腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元能量随微腔半径变化的情况.结果表明随着微腔半径的减小腔模能量蓝移,腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元的三支随着微腔半径的减小存在明显的反交叉行为.随着微腔半径的变化,极化激元的三支所体现的模
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| 关 键 词： | 半导体微腔 腔极化激元 激子 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)10-1319-05 |
| 修稿时间： | 2003-10-01 |
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