| RTD在压力下的弛豫振荡特性 |
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| 引用本文： | 仝召民,薛晨阳,张斌珍,刘俊,乔慧.RTD在压力下的弛豫振荡特性[J].半导体学报,2008,29(1):39-44. |
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| 作者姓名： | 仝召民 薛晨阳 张斌珍 刘俊 乔慧 |
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| 作者单位： | 中北大学电子测试技术国家重点实验室，仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原 030051;中北大学电子测试技术国家重点实验室，仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原 030051;中北大学电子测试技术国家重点实验室，仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原 030051;中北大学电子测试技术国家重点实验室，仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原 030051;中北大学电子测试技术国家重点实验室，仪器科学与动态测试教育部重点实验室，太原 030051 |
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| 摘 要： | 报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性.采用Pspice 8.0软件仿真并设计了振荡电路,测得其振荡频率达200kHz.在(100)半绝缘(SI)GaAs衬底上利用分子束外延(MBE)技术生长了AlAs/InxGa1-xAs/GaAs双势垒共振隧穿结构(DBRTS),并采用Au/Ge/Ni/Au金属化和空气桥结构成功加工出了RTD.由于RTD的压阻效应,采用显微喇曼光谱仪标定所加应力大小,对RTD在加压条件下的振荡特性进行了研究,结果表明其弛豫振荡频率大致有-17.9kHz/MPa的改变量.
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| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 弛豫振荡 喇曼光谱仪 压阻效应 resonant tunneling diode relaxation oscillation Raman spectrum piezoresistive effect |
| 文章编号： | 0253-4177（2008）01-0039-06 |
| 收稿时间： | 7/3/2007 5:14:42 PM |
| 修稿时间： | 2007-08-20 |
RTD's Relaxation Oscillation Characteristics with Applied Pressure |
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| Tong Zhaomin,Xue Chenyang,Zhang Binzhen,Liu Jun and Qiao Hui.RTD''''s Relaxation Oscillation Characteristics with Applied Pressure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(1):39-44. |
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| Authors: | Tong Zhaomin Xue Chenyang Zhang Binzhen Liu Jun and Qiao Hui |
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| Abstract: | The relaxation oscillation characteristics of a resonant tunneling diode (RTD) with applied pressure are reported.The oscillation circuit is simulated and designed by Pspice 8.0,and the measured oscillation frequency is up to 200kHz.Using molecular beam epitaxy (MBE),AlAs/InxGa1-xAs/GaAs double barrier resonant tunneling structures (DBRTS) are grown on (100) semi-insulated (SI) GaAs substrate,and the RTD is processed by Au/Ge/Ni/Au metallization and an air-bridge structure.Because of the piezoresistive effect of RTD,with Raman spectrum to measure the applied pressure,the relaxation oscillation characteristics have been studied,which show that the relaxation oscillation frequency has approximately a -17.9kHz/MPa change. |
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| Keywords: | resonant tunneling diode relaxation oscillation Raman spectrum piezoresistive effect |
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