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| 不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响 | |
| 引用本文： | 司俊杰,杨沁清,王红杰,雷红兵,滕达,王启明,刘学锋,李建民.不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响[J].半导体学报,1998,19(6):477-480. |
| 作者姓名： | 司俊杰 杨沁清 王红杰 雷红兵 滕达 王启明 刘学锋 李建民 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科 |
| 摘 要： | 本文对ＧＳ－ＭＢＥ生长的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构用快速热退火（ＲＴＡ）方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光（ＰＬ）特性．发现存在一个最佳退火温度范围，使得ＰＬ谱的发光得到改善．随着退火温度的继续提高，ＰＬ谱线发生兰移，发光强度下降．认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致．辅助的缺陷显微观察证实了我们的结论 |
| 关 键 词： | 锗化硅 退火 量子阱 光致发光 |
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