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| 弯波导呼吸区结构1.3μmInGaAs／InP超辐射发光二极管的设计 | |
| 引用本文： | 马东阁,刘明大.弯波导呼吸区结构1.3μmInGaAs／InP超辐射发光二极管的设计[J].激光与红外,1994,24(1):42-44. |
| 作者姓名： | 马东阁 刘明大 |
| 摘 要： | 本文用束传播方法设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎ－ＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二级管，分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计，在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入光的强度比率仅 |
| 关 键 词： | 发光二极管 结构 波导吸收区 设计 |
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