| 基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺 |
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| 引用本文： | 王文辉,唐衍哲,戈肖鸿,吴亚明,杨建义,王跃林.基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺[J].半导体学报,2005,26(1):138-142. |
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| 作者姓名： | 王文辉 唐衍哲 戈肖鸿 吴亚明 杨建义 王跃林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室，浙江大学信息与电子工程学系，中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050，杭州310027，上海200050，上海200050，上海200050，浙江大学信息与电子工程学系，杭州310027，上海200050，浙江大学信息与电子工程学系，杭州310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了基于绝缘材料上的硅（SOI）材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺．利用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）技术，在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面．氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度（RMS）有3nm的改善，达到7.27nm（采样面积6.2μm×26μm）．通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2.5mm．测试结果表明器件实现了分波功能．
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| 关 键 词： | 刻蚀光栅 波导镜 电感耦合等离子体刻蚀 绝缘材料上的硅 分波器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0138-05 |
| 修稿时间： | 2003年11月21日 |
Process of Etched-Grating Demultiplexer Based on Silicon-on-Insulator |
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| Wang Wenhui ,Tang Yanzhe ,Ge Xiaohong ,Wu Yaming ,Yang Jianyi ,and Wang Yuelin.Process of Etched-Grating Demultiplexer Based on Silicon-on-Insulator[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(1):138-142. |
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| Authors: | Wang Wenhui Tang Yanzhe Ge Xiaohong Wu Yaming Yang Jianyi and Wang Yuelin |
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| Affiliation: | Wang Wenhui 1,Tang Yanzhe 2,Ge Xiaohong 1,Wu Yaming 1,Yang Jianyi 1,2,and Wang Yuelin 1,2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | etched diffraction gratings waveguide turning mirror inductively-coupled-plasma etching silicon-on-insulator demultiplexer |
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