| Affiliation: | 1. Centre for Scientific and Applied Research, School of Basic Engineering and Sciences, PSN College of Engineering and Technology, Tirunelveli 627152, Tamil Nadu, India;2. Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 443 749, Republic of Korea;3. Department of Physics, Kalasalingam University, Krishnankoil 626 126, Tamil Nadu, India;4. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN (CINVESTAV), Av. Instituto Politecnico Nacional 2508, Col. San Pedro Zacatenco 07360, Mexico D.F., Mexico;1. Grupo de Espectroscopia de Materiales Avanzados y Nanoestructurados (GEMANA), Centro de Investigaciones en Óptica, A.P. 1-948, León, Guanajuato 37150 Mexico;2. Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, Universidad Autónoma de Coahuila, Saltillo, Coahuila 25280, Mexico;3. Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Universidad Nacional Autónoma de México, A.P. 1-1010, Querétaro 76000, Mexico;4. Instituto Mexicano del Petróleo, Lázaro Cárdenas 152, Col. Atepehuacan, México D.F. C.P. 07730, Mexico;1. Coordinación para la Innovación y Aplicación de la Ciencia y la Tecnología, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Sierra Leona No. 530 Col. Lomas 2da. Sección, San Luis Potosí, S.L.P, México;2. Sección de Electrónica del Estado Sólido, Departamento de Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N., Av. Instituto Politécnico Nacional 2508, San Pedro Zacatenco, C.P. 07360 México D.F., México;1. Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Korea;2. National Creative Research Initiative, Center for Smart Molecular Memory, Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, 2066 Seoburo, Jangan-Gu, Suwon, Gyeonggi-Do 440-746, Korea;3. Department of Electrical Engineering (SEES), CINVESTAV-IPN, Avenida IPN 2508, San Pedro Zacatenco, Mexico D.F., Mexico;1. College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea;2. Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea;3. Department of Electrical Engineering (SEES), CINVESTAV-IPN, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico City 07360, Mexico;4. Department of Electronics and Communication Engineering, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Sikkim 737136, India;1. V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, pr. Nauky 41, 03028 Kyiv, Ukraine;2. L. Pysarzhevsky Institute of Physical Chemistry, NAS of Ukraine,pr. Nauky 31, 03028 Kyiv, Ukraine;3. Instituto Politécnico Nacional – ESFM, Av. IPN, Ed.9 U.P.A.L.M.,07738 Mexico D.F., Mexico;1. Instituto Politécnico Nacional, Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, SEPI – ESIME – IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional S/N, Col. Lindavista, México D.F. 07738, Mexico;2. Instituto Politécnico Nacional, SEPI – ESFM – IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional S/N, Col. Lindavista, México D.F. 07738, Mexico;3. Instituto Politécnico Nacional, ESIME – IPN, Av. Instituto Politécnico Nacional S/N, Col. Lindavista, México D.F. 07738, Mexico;4. CIICAp Centro de Investigación en Ingeniería y Ciencias Aplicadas, Av. Universidad No. 1001, Col Chamilpa, Cuernavaca, Morelos, México C.P. 62209, Mexico;5. V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics at NASU, Kiev, Ukraine;6. Instituto Politécnico Nacional, ESIME – Ticomán, México D.F. 07340, Mexico |
