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| VFPTO下SF6间隙及绝缘子沿面预放电电流特性" | |
| 引用本文： | 陈庆国,张乔根,邱毓昌,王中方,魏新劳.VFPTO下SF6间隙及绝缘子沿面预放电电流特性"[J].高压电器,2000,36(4). |
| 作者姓名： | 陈庆国 张乔根 邱毓昌 王中方 魏新劳 |
| 摘 要： | 对SF6气体间隙及绝缘子沿面的预放电电流进行了测量.测量结果证实,正极性VFTO作用下SF6的击穿遵从先导击穿机理;而负极性VFTO作用下SF6的击穿一般遵从茎先导机理或流注放电导致直接击穿.气压大小直接影响先导的起始电压及先导的间隔时间.存在绝缘子时,先导形成时间间隔及步长变短,且在快速振荡冲击电压用下会出现"逆放电"现象,这有利于先导形成,从而降低了闪络电压. |
| 关 键 词： | 预放电 快速暂态过电压 先导流注 |
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