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| Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析 | |
| 引用本文： | 金晓军,梁骏吾.Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析[J].电子学报,1997(8). |
| 作者姓名： | 金晓军 梁骏吾 |
| 作者单位： | 清华大学微电子所，中国科学院半导体所 |
| 摘 要： | 结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统．计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化．计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳｉ外延层中Ｓｔ、Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系．从理论上解释了ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度随ＧｅＨ４流量的变化关系，并与Ｐ．Ｍ．Ｇａｒｏｎｅ等人的实验结果进行了比较． |
| 关 键 词： | Ge_xSi_（1－x）、化学气相外延 |
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