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高稳定度中功率C波段耿氏DRO
引用本文:谢家德.高稳定度中功率C波段耿氏DRO[J].微波学报,1991,7(2):44-49.
作者姓名:谢家德
作者单位:亚光电工厂
摘    要:文章介绍了 C 波段介质谐振器稳频耿氏振荡器实用电路结构,简明分析了耿氏 DRO 稳频和工作原理以及用高 Q 介质谐振器稳频和双金属补偿所得的实验结果:在5.3GHz 附近,振荡器输出功率为280mW,在-40~+60℃范围内,振荡器频率温度系数为0.56PPm/℃,功率温度系数小于0.01dB/℃。

关 键 词:DRO  C波段  耿振荡器  振荡器

A High Stabilized C-band Gunn DRO With Moderate Power
Xie Jiade.A High Stabilized C-band Gunn DRO With Moderate Power[J].Journal of Microwaves,1991,7(2):44-49.
Authors:Xie Jiade
Affiliation:Yaguang Electronic Engineering Factory
Abstract:
Keywords:frequency  power  Gunn diode  dielectric resonator  doublemetal compensation  frequency temperature coefficient
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