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| 碲镉汞阳极氧化膜界面的研究 | |
| 引用本文： | 许振嘉,王佑祥,陈维德,方家熊.碲镉汞阳极氧化膜界面的研究[J].红外与毫米波学报,1987,6(1). |
| 作者姓名： | 许振嘉 王佑祥 陈维德 方家熊 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (许振嘉，王佑祥，陈维德)，中国科学院上海技术物理研究所(方家熊) |
| 摘 要： | 用X射线光电子能谱方法研究了Hg_0.8CD_0.2Te样品的厚度为35、50、55、和65nm的阳极氧化膜。结果表明阳极氧化膜的成分中:0为58～60%,Te为22～26%,Cd为10～13%,Hg为3～4%。在氧化膜与基体界面半导体一侧存在缺汞区,比正常值少14～34%。 |
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