|
|||||
|
|
| 780℃下液相外延生长周Al_xGa_(1-x)As的生长和掺杂特性 | |
| 引用本文： | 余金中,岩井莊八,青柳克信.780℃下液相外延生长周Al_xGa_(1-x)As的生长和掺杂特性[J].半导体学报,1985,6(2):123-127. |
| 作者姓名： | 余金中 岩井莊八 青柳克信 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (余金中)，日本国理化学研究所 (岩井莊八)，日本国理化学研究所(青柳克信) |
| 摘 要： | 我们研究了780℃下液相外延生长Al_xGa_(1-x)As的生长特性和掺杂特性.本文给出了各种不同x 值的Al_xGa_(1-x)As的生长溶液组分的经验公式,测定了不同x值时的生长速率及掺Mg、Ge、Te、Sn样品的载流子浓度同x值的依赖关系. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |