| 孔径型超分辨近场结构光盘的电磁场分析 |
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| 作者姓名： | 沈全洪徐端颐 马建设刘嵘 齐国生 |
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| 作者单位： | 清华大学精密仪器与机械学系,光盘国家工程研究中心,北京,100084;清华大学精密仪器与机械学系,光盘国家工程研究中心,北京,100084;清华大学精密仪器与机械学系,光盘国家工程研究中心,北京,100084;清华大学精密仪器与机械学系,光盘国家工程研究中心,北京,100084;清华大学精密仪器与机械学系,光盘国家工程研究中心,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划资助项目（G19990330） |
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| 摘 要： | 采用三维时域有限差分（3D-FDTD）方法建立了孔径（TA）型超分辨近场结构（super-RENS）光盘的电磁场计算模型。计算中,用矢量基模高斯光束模型作为聚焦光束的近似,用Lorentz模型描述掩膜介质Sb和反射层介质A1在光频段的色散特性。对写入和读出过程中的电场分布进行了理论分析,并与普通CD-R／W光盘进行了比较。理论计算结果很好地说明了TA型super-RENS光盘写入和读出时的电场分布特性,从本质上解释了超分辨率读写的机制,得到了和实验一致的结果。
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| 关 键 词： | 光存储 超分辨近场结构(super-RENS) 孔径(TA)型 时域有限差分(FDTD)法 电磁场 |
| 文章编号： | 1005-0086（2005）10-1182-05 |
| 收稿时间： | 2005-02-20 |
| 修稿时间： | 2005-02-20 |
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