| 非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究 |
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| 引用本文： | 谢振宇,龙春平,邓朝勇,林承武.非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究[J].真空科学与技术学报,2007,27(4):341-345. |
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| 作者姓名： | 谢振宇 龙春平 邓朝勇 林承武 |
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| 作者单位： | 北京京东方光电科技有限公司,北京,100176 |
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| 摘 要： | 采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器，对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明：提高栅界面层N—H键含量（或减少Si-H键含量）能提高光禁带宽度和相对介电常数。栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能，提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。
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| 关 键 词： | 栅界面层 氮化硅 光禁带宽度 介电常数 导通电流 |
| 文章编号： | 1672-7126（2007）04-341-05 |
| 修稿时间： | 2006-07-12 |
Interfacial Structures and Properties of SiN Layer in a-Si Thin Film Transistors |
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| Xie Zhenyu,Long Chunping,Deng Chaoyong,Lin Chengwu.Interfacial Structures and Properties of SiN Layer in a-Si Thin Film Transistors[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2007,27(4):341-345. |
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| Authors: | Xie Zhenyu Long Chunping Deng Chaoyong Lin Chengwu |
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| Affiliation: | Array Technology Department, BOE Optoelectronics Technology Co., It.d, Beijing 100176, China |
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