首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

砷化镓(GaAs)半导体器件,单晶的现状及发展动向
作者姓名:管丕恺
作者单位:电子部第46研究所
摘    要:本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题,并预测了今后的发展趋势。

关 键 词:GaAs半导体器件 半导体器件 集成电路 单晶
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号