| 基于级间电容抵消技术的74~88 GHz高性能CMOS LNA设计 |
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| 引用本文： | 康志谋,邹林峰,蒋欣怡,石春琦,张润曦.基于级间电容抵消技术的74~88 GHz高性能CMOS LNA设计[J].固体电子学研究与进展,2022(6):484-491. |
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| 作者姓名： | 康志谋 邹林峰 蒋欣怡 石春琦 张润曦 |
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| 作者单位： | 1.华东师范大学微电子电路与系统研究所200241;2.华东师范大学上海市多维度信息处理重点实验室200241; |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助(40500-20103-222178)；上海市科委资助项目(18DZ2270800)。 |
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| 摘 要： | 采用55 nm CMOS工艺,面向毫米波雷达应用,设计了一款74~88 GHz高性能CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA应用共源共栅结构,为了改善噪声系数、提高稳定性增益,采用级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术和基于反相双圈耦合的等效跨导增强技术。和传统共栅短接技术相比,级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术改善噪声系数1.58 dB,提高稳定性增益7.67 dB。芯片测试结果表明,LNA峰值增益为17.1 dB,最小噪声系数为6.3 dB,3 dB带宽为14 GHz(74.8~88.8 GHz),在78 GHz中心频率处输入1 dB压缩点(IP1dB)为-10.2 dBm,功耗为102 mW。
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| 关 键 词： | 寄生电容抵消 低噪声放大器 反相双圈耦合 电感反馈共栅短接 |
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