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| 新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化 | |
| 引用本文： | 糜昊,马鑫,苗渊浩,芦宾.新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化[J].固体电子学研究与进展,2022(6):441-448. |
| 作者姓名： | 糜昊 马鑫 苗渊浩 芦宾 |
| 作者单位： | 1.山西师范大学物理与信息工程学院030031;2.中国科学院100029; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62004119)；山西省应用基础研究计划资助项目(201901D211400)。 |
| 摘 要： | 设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管(GAA-LTFET),并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析,通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制,消除了转移电流曲线上的驼峰现象,提高器件特性。此外,还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和优化,最终器件平均亚阈值摆幅可达33.4 mV/dec,开态电流可达0.64μA/μm,开关比值约为9×10^(8),该器件的优异特性有望促进后摩尔时代超低功耗技术的发展。 |
| 关 键 词： | 隧穿场效应晶体管(TFETs) 线隧穿 Ge/Si异质结 环栅 亚阈值摆幅 |
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