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Al_2O_3质厚膜电路基片的抗热震机理
作者姓名:张清纯  林素贞  姚晓明  刘云书
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所(张清纯,林素贞),上海无线电一厂(姚晓明),上海无线电一厂(刘云书)
摘    要:本文研究了四种Al_2O_3瓷的力学、热学性能与其显微结构间的关系。文中从热弹性理论出发,讨论了Al_2O_3瓷的抗热震断裂特性并用断裂力学的能量平衡观点,分析了材料的抗热震损伤行为。指出:在四种材料中,高强度和低韧性、低模量的钙镁系Ⅳ-Al_2O_3瓷具有较好的抗热震断裂特性;强度较低而韧性较好的钙系Ⅰ-Al_2O_3瓷具有较高的抵抗热震诱发微裂纹进一步扩展的能力,亦即有较好的抗热震损伤特性。钙镁系Ⅱ-Al_2O_3和Ⅲ-Al_2O_3瓷的抗热震性处于上述两者之间。显然,陶瓷材料的抗热震行为是其力学和热学性能的综合表现。温差热应力是材料破坏的动力,材料固有的力学性能往往是抵抗裂纹的萌生或扩展的阻力因素。

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