时效对Cu—Cr—Zr合金显微硬度及导电率的影响 |
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引用本文: | 袁振宇,董企铭,刘平,康布熙,赵冬梅,田保红.时效对Cu—Cr—Zr合金显微硬度及导电率的影响[J].洛阳工学院学报,2002,23(1):8-11. |
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作者姓名: | 袁振宇 董企铭 刘平 康布熙 赵冬梅 田保红 |
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摘 要: | 探讨了时效工艺及形变量对Cu—0.3Cr—0.15Zr合金显微硬度及导电率的影响。结果表明,合金经920℃固溶处理后在420℃及460℃时效可分别达到较好的硬度和导电率,分别达183HV和68%IACS;时效前对合金加以适当冷变形可加速合金时效析出过程。影响合金导电率的主要因素是基体中固溶元素的含量,含量越高,导电率越低,反之则越高。而时效前冷变形可以增加合金内部位错等缺陷的数量,加速了合金第二相的析出。
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关 键 词: | 时效工艺 铜-铬-锆合金 显微硬度 导电率 形变量 集成电路 |
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