AMF与TMF高频磁场特性仿真对比分析 |
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作者单位: | 上海电力大学,上海 200090;国网宣城供电公司,安徽宣城 242000;国网上海金山供电公司,上海 200540;国网通许县供电公司,河南通许 475400 |
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摘 要: | 真空灭弧室的灭弧性能与真空灭弧室触头的磁场特性密切相关,其中纵向磁场(AMF)灭弧技术与横向磁场(TMF)灭弧技术应用最为普遍。基于人工零点的高压直流真空断路器,引入高频震荡电流帮助开断,为了分析真空断路器开断高频电流情况下的磁场特性,文中建立了两种类型的触头结构进行有限元仿真,对比分析真空灭弧室磁场特性以及触头片涡流情况。结果表明:在高频电流开断情况下,横磁结构触头与纵磁结构触头相比有更好的磁场特性分布;触头片涡流是影响纵磁结构触头磁场特性恶劣的关键因素,而对横磁触头间隙磁场特性几乎没有影响。
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关 键 词: | 真空断路器 灭弧室 触头 高频 磁场 |
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