| 半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展 |
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| 引用本文： | 丁瑞钦,杨恢东,王浩,周国荣. 半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展[J]. 半导体技术, 2000, 25(2) |
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| 作者姓名： | 丁瑞钦 杨恢东 王浩 周国荣 |
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| 作者单位： | 五邑大学数学物理系,广东江门,529020;五邑大学数学物理系,广东江门,529020;五邑大学数学物理系,广东江门,529020;五邑大学数学物理系,广东江门,529020 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,广东省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 从全光通信对光子器件的要求出发,报道了近年来在半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展.强量子限制效应可以大大地减小激子的寿命,但这种材料(Ⅰ-Ⅶ族例外)普遍存在着长寿命的俘获态,制约着这种材料的光学响应速度的提高.
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| 关 键 词： | 半导体纳米颗粒 光致载流子 弛豫过程 |
Progress of Studies on the Relaxation Processes of Photoinduced Carriers in Semiconductor Nano-granular Embedded in Medium Matrix |
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| Ding Ruiqin,Yang Huidong,Wang Hao,Zhou Guorong. Progress of Studies on the Relaxation Processes of Photoinduced Carriers in Semiconductor Nano-granular Embedded in Medium Matrix[J]. Semiconductor Technology, 2000, 25(2) |
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| Authors: | Ding Ruiqin Yang Huidong Wang Hao Zhou Guorong |
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